(1月4日)电催化剂缺陷化学
新闻类型:学术活动  阅读次数:  发布时间:2017-12-26

报告题目:电催化剂缺陷化学

报告地点:国家大学科技园阳光科技楼一楼报告厅

报告时间:2018年1月4号早上10:30-12:00

报告人:王双印教授

报告摘要:电催化过程主要发生在电催化剂的表面。因此,在催化剂设计中,针对电催化剂的表面设计与调控至关重要。那么,什么样的表面对电催化性能较为有利呢?早期的大量研究表明,电催化剂的表面缺陷,包括杂质缺陷、 空位缺陷、填隙缺陷等,对电催化性能的提高具有正效应。事实上,多数催化剂晶体在制备过程中都不可避免地引入各种类型的缺陷。但是,如何可控的产生缺陷、调控缺陷类型、控制缺陷浓度还需要深入系统的研究。与此同时,缺陷与性能直接的构效关系也需要进一步的梳理。因此,围绕缺陷化学,对电催化剂进行表面调控具有非常大的研究空间。本文将介绍近年来,我们课题组在催化剂表面调控,尤其是缺陷化学方面取得的进展。

 

报告人简介王双印,中组部 “青年千人计划”入选者, 现为湖南大学化学化工学院教授,博士生导师。2006年本科毕业于浙江大学化工系,2010年在新加坡南洋理工大学获得博士学位,随后在美国凯斯西储大学,德克萨斯大学奥斯汀分校、英国曼彻斯特大学(玛丽居里学者)开展研究工作。主要研究方向为电催化剂的表面调控.目前,已在国际著名期刊JACS, Angew. Chem,Advanced Materials,EES,ACS Nano等发表学术论文100余篇,SCI总引用5000余次,h-index为33。

 

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